西门子S7-400PLC系列强制破解程序密码技巧

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工作用原理也就是霍尔效应，所谓霍耳效应如图1所示，系指将电流I 通至一物质，并对与电流成正角之方向施加磁场B 时，在电流与磁场两者之直角方向所产生的电位差V 之现象。此电压是在下列情况下所产生的，有磁场B 时，由于弗莱铭(Fleming)左手定则，使洛仁子力(即可使流过物质中之电子或正孔向箭头符号所示之方向弯曲的力量：(Lorentz force)发生作用，而将电子或正孔挤向固定输出端子之一面时所产生。电位差V 之大小通常决定于洛仁子力与藉所发生之电位差而将电子或正孔推回之力(亦即前者之力等于后者之力)，而且与电流I 乘以磁场B 之积成比例。比例常数为决定于物质之霍耳常数除以物质在磁场方向之厚度所得之值。在平板半导体介质中，电子移动（有电场）的方向，将因磁力的作用（有磁场） ，而改变电子行进的方向。若电场与磁场互相垂直时，其传导的载子（电子或电洞） ，将集中于平板的上下两边，因而形成电位差存在的现象。西门子S7-400PLC系列强制破解程序密码技巧该电位差即霍尔电压（霍尔电压） 在实际的霍尔组件中，一般使用物质中之电流载子为电子的N 型半导体材料。将一定之输入施加至霍尔组件时之输出电压，利用上述之关系予以分析时，可以获致下列的结论